 |  |
|
Metoda de dopare selectiva si controlata a materialelor semiconductoare
Cea mai folosita metoda este difuzia. Difuzia este un proces prin care o specie atomica neuniforma distribuita intru-un anumit spatiu, se deplaseaza pentru a realiza o distributie uniforma in acel spatiu.
Procesul de difuziune are doua etape importante:
- predifuzia (difuzia din sursa finita de impuritati), prin care se introduce superficial, in placheta semiconductoare o cantitate bine determinata de atomi de impuritate;
- difuzia propriu-zisa (difuzia in sursa constanta) care realizeaza o redistribuire "convenabila" a impuritatilor predifuzate.
Predifuzia se desfasoara intr-un reactor in care, intr-un gaz purtator se introduc (din sursa solida, lichida sau prin reactie chimica de suprafata)atomi de impuritate a caror presiune partiala (in gaz) depaseste o valoare ce ar corespunde solubilitatii mazime a impuritatii in materialul semiconductor la temperatura de lucru.
Difuzia propriu-zisa urmeaza predifuziei (sau unei operatii de implantare ionica prin care, superficial, a fost introdusa o anumita cantitate de dopant).
Difuzia propriu-zisa se desfasoara in atmosfera oxidanta si lipsita de impuritati intr-un reactor de difuziune. Oxidul ce se formeaza impiedica alte impuritati sa intre in placheta si le pastreaza pe cele deja introduse.
Acest document nu se poate descarca
| E posibil sa te intereseze alte documente despre: |
| Copyright © 2024 - Toate drepturile rezervate QReferat.com | Folositi documentele afisate ca sursa de inspiratie. Va recomandam sa nu copiati textul, ci sa compuneti propriul document pe baza informatiilor de pe site. { Home } { Contact } { Termeni si conditii } |
Cauta document |