QReferate - referate pentru educatia ta.
Cercetarile noastre - sursa ta de inspiratie! Te ajutam gratuit, documente cu imagini si grafice. Fiecare document sau comentariu il poti downloada rapid si il poti folosi pentru temele tale de acasa.



AdministratieAlimentatieArta culturaAsistenta socialaAstronomie
BiologieChimieComunicareConstructiiCosmetica
DesenDiverseDreptEconomieEngleza
FilozofieFizicaFrancezaGeografieGermana
InformaticaIstorieLatinaManagementMarketing
MatematicaMecanicaMedicinaPedagogiePsihologie
RomanaStiinte politiceTransporturiTurism
Esti aici: Qreferat » Documente diverse

Sa se reprezinte grafic dependenta potentialului repulsiv, de atractie si de interactiune de distanta interatomica



Sa se reprezinte grafic dependenta potentialului repulsiv, de atractie si de interactiune de distanta interatomica.



E




r01 r02 r03 r04

r



E5

E4

E2

E1

E1 - legaturi covalente/ionice

E2 - legaturi metalice

E3 - legaturi de hidrogen

E4 - legaturi Van der Waals
2. Evaluati asigurarea electroneutralitatii retelei in structurile clinoenstatitului, caolinului si micai.


Clinoenstatitul = silicat de magneziu

2MgO * SiO2 prezinta tetraedre [SiO4]4- si octaedre [MgO6]10-

Fiecare Mg2+ primeste o treime din valenta negativa de la 6 ioni de O2-

fiecare ion O2- isi imparte valoarea negativa libera intre trei cationi Mg2+

Mg2+ <- 6/3O2-

Mica = prezinta o structura strtificata, proprietatea ei cea mai importanta este clivajul ce are loc datorita alunericarilor planurilor de tetraedre.

K2O·3Al2O3·6SiO2·2H2O - [SiO4]4 si [AlO4(OH)2]-7.

Pentru fiecare trei tetraedre [SiO4]4-exista un tetraedru [AlO4]5-. Tetraedrele sunt legate prin varfuri, prin punti de oxigen. Intre doua straturi de tetraedre este un strat de grupari octaedrice [AlO4(OH)2], care sunt unite prin patru varfuri de gruparile tetraedrice [SiO4]4-ai prin doua varfuri de gruparea HO-.


Caolinul = aluminosilicat hidratat Al2O3·2SiO2·2H2O

Tetraedre [SiO4]4- dispuse in cicluri de cate sase

Valenta libera a anionului O2- este impartita intre 2 cationi de Al.

Al3+ <- 4*1/2O2-

Tema 3

In sistemul binar AB, punctul eutectic corespunde raportului A:B=1:1. Calculati cantitatea de topitura eutectica ce se poate forma din amestecurile M1, M2 pentru care A:B=2:1 si A:B=1:2.


Amestecul M1:

67% A    33%+34% A

33% B   33%B

66g amestec eutectic AB + 34g A


Amestecul M2:

33% A    33%A

67% B   33%+34% B



66g amestec eutectic AB + 34g B


Se da sistemul binar AB cu punctul eutectic ce corespunde raportului A:B=1:1. Calculati:

Cantitatea de topitura din urmatoarele amestecuri.

M1: A:B=3:1

M2: A:B=2:1

M3:  A:B=1:1

M4: A:B=1:2

M5: A:B=1:3

Sa se scrie etapele proceselor de topire si cristalizare pentru amestecurile M1, M2, M3, M4, M5.

Considerand ca topirea eutectica consuma energie proportionala cu cantitatea de topirtura eutectica formata, inscrieti in ordine descrescatoare amestecurile.



Amestecul M1:

75% A    25%+50% A

25% B    25%B



50g amestec eutectic +50g A


Amestecul M2:

67% A    33%+34% A

33% B 33%B

66g amestec eutectic AB + 34g A


Amestecul M3:

50%A    100g amestec eutectic

50%B


Amestecul M4:

33% A    33%A

67% B   33%+34% B



66g amestec eutectic AB + 34g B


Amestecul M5:

25% A    25%A

75% B    25%+50%B



50g amestec AB + 50g B

TA

TB

T5

l4

l5



l3

l2

T1

T4
l1

T2

T3

Te

M5

M3

M4

M2

M1




M1 - topire

T<Te: A+B

Te: A+B + liq(le)

Te-T1: A + liq(le->l1)

T>T1: liq(l1)

M1: cristalizare

T>T1: liq(l1)

T1-Te: A+ liq(l1->le)

Te: A+B+liq(le)

T<Te: A + B

M2 - topire

T<Te: A+B

Te: A+B + liq(le)

T-T2: A + liq(le->l2)

T>T2: liq(l2)

M2- cristalizare

T>T2: liq(l2)

T2-Te: A+ liq(l2->le)

Te: A+B+liq(le)

T<Te: A + B


M3 - topire

T<Te: A+B

Te: A+B + liq(le)

T>Te: liq(le)

M3- cristalizare

T>Te: liq(le)

Te: A+B+liq(le)

T<Te: A + B


M4 - topire

T<Te: A+B

Te: A+B + liq(le)

T-T4: B + liq(le->l4)

T>T4: liq(l4)

M4- cristalizare

T>T4: liq(l4)

T4-Te: B+ liq(l4->le)

Te: A+B+liq(le)

T<Te: A + B


M5 - topire

T<Te: A+B

Te: A+B + liq(le)

T-T5: B + liq(le->l5)

T>T5: liq(l5)

M4- cristalizare

T>T5: liq(l5)

T5-Te: B+ liq(l5->le)

Te: A+B+liq(le)

T<Te: A + B



M3>M2=M4>M1=M5



Se da sistemul binar AB pentru care eutecticul binar contine 25%A. In amestecurile definite in exercitiul 2, reluati toate calculele.



Amestecul M1:

75% A    8,33%+66,66% A

25% B    25%B

33,33g amestec + 66,66g A

100g..75g B

X g..25g B x= 33,33 g amestec => 8,33g A


Amestecul M2:

67% A 11%+56% A

33% B 33%B

44g amestec eutectic AB + 56g A

100g amestec.75g B

Xg33g x=44g amestec => 11g A


Amestecul M3:

50% A 16,66%+33.34% A

50% B 50%B

66,66 g amestec eutectic AB + 33,34g A

100g amestec.75g B

Xg50g x=66,66g amestec => 16,66g A


Amestecul M4:

33% A    22,33% + 10,66%A

67% B   67 B



89,33 g amestec eutectic AB + 34g B

100g..75g B

Xg67gB x= 89,33 g amestec eutectic => 22,33 g A

Amestecul M5:

25% A    100g amestec eutectic

75% B   


TB

TA

T1

T2

T3

T4

T5

l3

l2

l1

l4

l5





M1 - topire

T<Te: A+B

Te: A+B + liq(le)

Te-T1: A + liq(le->l1)

T>T1: liq(l1)

M1: cristalizare

T>T1: liq(l1)

T1-Te: A+ liq(l1->le)

Te: A+B+liq(le)

T<Te: A + B


M2 - topire

T<Te: A+B

Te: A+B + liq(le)

T-T2: A + liq(le->l2)

T>T2: liq(l2)

M2- cristalizare

T>T2: liq(l2)

T2-Te: A+ liq(l2->le)

Te: A+B+liq(le)

T<Te: A + B


M3 - topire

T<Te: A+B

Te: A+B + liq(le)

T-T3: A + liq(le->l3)

T>T3: liq(l3)

M3- cristalizare

T>T3: liq(l3)

T3-Te: A+ liq(l3->le)

Te: A+B+liq(le)

T<Te: A + B

M4 - topire

T<Te: A+B

Te: A+B + liq(le)

T-T4: A + liq(le->l4)

T>T4: liq(l4)


M4 - cristalizare

T>T4: liq(l4)

T4-Te: A+ liq(l4->le)

Te: A+B+liq(le)

T<Te: A + B

M5 - topire

T<Te: A+B

Te: A+B + liq(le)

T>Te: liq(le)

M5- cristalizare

T>Te: liq(le)

Te: A+B+liq(le)

T<Te: A + B



Sistemul binar AB cu compusul AB contine 2 parti A si o parte B. Punctele invariante eutectice contin parti egale din constituentii subsistemelor. Determinati:

a) Diagrama sistemului AB in conditiile date.

b) Compozitia exprimata in procente AB a celor 2 puncte invariante eutectice.

c) Pentru cate un amestec ales in fiecare camp de cristalizare primara, sa se scrie etapele proceselor de topire si cristalizare.


lM4 TB

TA TAB lM3 TM4

AB + liq B + liq

A + liq AB + liq Te


AB+A AB+B


A M1 M2 AB M3 M3 B


Pentru e1:

100%AB 33,4% B.66,6%A

50%.AB.xy

X= 16,7%B

Y= 33,33% A

A = 33,33+50=83,33%A

Pentru e2:

100%AB 33,4% B.66,6%A

50%.AB.xy

X= 16,7%B

Y= 33,33% A

16,7%+50%= 66,7%B


M1 - topire

T<Te1: AB + A

Te1: AB +A+liq(e1)

Te1-TM1: A + liq(e1->l1)

T>TM1: liq(M1)

M1 - cristalizare

T>TM1: liq(M1)

TM1-Te1: A + liq(l1->e1)

Te1: AB +A+liq(e1)

T<Te1: AB + A


M2 - topire

T<Te1: AB + A

Te1: AB +A+liq(e1)

Te1-TM2: AB + liq(e1->l2)

T>TM2: liq(M2)

M2 - cristalizare

T>TM2: liq(M2)

TM2-Te1: AB + liq(l2->e1)

Te1: AB +A+liq(e1)

T<Te1: AB + A


M3 - topire

T<Te2: AB + A

Te2: AB +A+liq(e2)

Te2-TM2: AB + liq(e2->l3)

T>TM3: liq(M3)

M3 - cristalizare

T>TM3: liq(M3)

TM3-Te2: AB + liq(l3->e2)

Te2: AB +A+liq(e2)

T<Te2: AB + A


M4 - topire

T<Te2: AB + A

Te2: AB +A+liq(e4)

Te2-TM4: A + liq(e2->l4)

T>TM4: liq(M4)

M4 - cristalizare

T>TM4: liq(M4)

TM4-Te2: A + liq(l4->e2)

Te2: AB +A+liq(e1)

T<Te2: AB + A



Se da sistemul binar AB cu compusul AB care contine 2 parti B si o parte A. AB se descompune incongruent in B si in lichid de compozitie g care contine 50%A. Determinati:

a) Diagrama sistemului binar AB in conditiile problemei.

b) Raportul dintre fazele care rezulta la descompunerea incongruenta a compusului AB

c) Definiti zonele compozitionale din sistemul AB care prezinta resorbtie partiala si totala.

d) Pentru un amestec ales in zona cu resorbtie partiala, sa se defineasca etapele proceselor de topire si cristalizare si grafic sa se evidentieze fenomenul de resorbtie partiala.

e) Pentru un amestec considerat in zona cu resorbtie totala, scrieti etapele proceselor de topire si cristalizare si grafic sa se evidentieze fenomenul de resorbtie totala.

f)  Pentru amestecuri din zonele fara resorbtie, precizati categoriile de materiale ce se pot obtine.



RT: AB-g

RP: AB-B




TM1

TM1

TM2
lM1 TB

TM2

TM1

TM2
TA lM2

B + liq

g Tg

A + liq

AB + liq AB + B

e

AB + A

IR

DR

IRT

DRT
A %B M2 AB M1 %liq B

%B %AB

%B %liq

%AB %liq




M1 - topire

T<Tg: AB+ B

Tg: AB+B+liq(q)

Tg-TM: B + liq(g->lM1)

T>TM: liq (M)


M1 - cristalizare

T>TM: liq (M)

TM-Tg: B + liq(lM1 ->g)

Tg: AB+B+liq(q)

T<Tg: AB+ B




Se da sistemul binar AB cu compusul binar AB care contine 2/3 din B si care se descompune la temperatura Tg in liq(g) si B. Sa se determine:

a)  Diagrama sistemului in conditiile problemei.

b) Compozitia lichidului peritectic

c)  Zonele compozitionale care prezinta resorbtie

d) Evidentierea grafica a fenomenelor de resorbtie pentru cate un amestec din zonele cu resorbtie partiala si totala

e)  Pentru cele doua amestecuri considerate la punctul d, evidentiati proportia fazelor daca avem: racire la echilibru, racire moderata si racire rapida. Argumentati alegerea unuia dintre cele 3 tratamente pentru fiecare caz in parte.

f)  Enumerati categoriile de materiale ce se pot obtine din amestecuri binare apartinand sistemului AB.



RT RP



O



LM2 TB

TA B + liq


g

A + liq

AB + liq B + AB


A + AB

M2
A AB B

%B %liq IR

%B %AB DR






O


TB

TA O'

B + liq TM

TAB

A + liq g

AB + liq

B + AB

e A + AB



A M AB B

%B % liq g IR

%AB % liq g DR










O


O' lM

B + liq TM

g

AB + liq

A + liq B + AB


e

A + AB

racire rapida A %B %liq M AB B

racire moderata %B %AB %A

racire la echilibru %AB %A


Prin racire moderata, se obtine un compus ce contine cristale de B, AB si A. Acest compus contine cea mai mare cantitate de A.




Prin racire rapida, se obtine un compus ce contine cristale de B si sticla.






O'

LM2 TB

TA TM2

B + liq

g


A + liq AB + liq B + AB

g' a

B + AB


racire rapida %B %liq

racire moderata %B %AB %A

O



Pentru un compus aflat in campul de cristalizare primara a lui B(AB-B), racind brusc la:

T<Tg - obtinem un compus ce contine cristale de B si AB.

Tg: obtinem un compus ce contine cristale de B, AB si sticla

Tg-Tx: obtinem un compus ce contine cristale de B si sticla

T>Tx: obtinem sticla

Pentru un compus aflat in campul de cristalizare primara a lui B (g-AB), racind brusc la:

T<Te: obtinem un compus ce contine cristale de A si AB.

Te: obtinem un compus ce contine cristale de A, AB si sticla

Te-Tg: obtinem un compus ce contine cristale de AB si sticla.

Tg: obtinem un compus ce contine cristale de AB, B si sticla.

Tg-Tx: obtinem un compus ce contine cristale de B si sticla

T>Tx: obtinem sticla.

Pentru un compus aflat in campul de cristalizare primara a lui AB (e-AB), racind brusc la:

T<Te: obtinem un compus ce contine cristale de A si AB.

Te: obtinem un compus ce contine cristale de A, AB si sticla

Te-Tx: obtinem un compus ce contine cristale de AB si sticla.

T>Tx: obtinem sticla.

Pentru un compus aflat in campul de cristalizare primara a lui A, racind brusc la:

T<Te: obtinem un compus ce contine cristale de A si AB.

Te: obtinem un compus ce contine cristale de A, AB si sticla

Te-Tx: obtinem un compus ce contine cristale de A si sticla

T>Tx: obtinem sticla



Se da sistemul binar AB cu compusi binari:

Tg1

AB1    A + liq(g1)


AB2 Tg2 B + liq(g2)


Determinati:

a) Diagrama sistemului

b) Zonele cu RT si RP cu precizarea fazei care se resoarbe

c) Evidentierea grafica a RT de B si a RP de A pentru doua amestecuri alese in zona cu RT de B si RP de A.

d) Pentru amestecurile considerate, evidentiati proportia fazelor obtinute daca tratamentul termic este: racire rapida, racire moderata, si racire de echilibru.

RP RT RT RP

TA

A + liq TB

Tg1 g1 B + liq


A+AB1 AB1+liq g2 Tg2

AB2+liq AB2+B


AB1+AB2

A AB1 AB2 B







TA

A + liq TB

Tg1 g1 lM2 TM2

B+liq

AB1+liq g2 Tg2

A+AB1 AB2+liq

B+AB2

AB1+AB2

A AB1 M2 AB2 B

%B %liq

%B %AB







TA lM1

TM1

A + liq TB

Tg1 g1 TM

B+liq

AB1+liq g2 Tg2

A+AB1 AB2+liq

B+AB2

AB1+AB2

A M1 AB1 AB2 B

IR

DR
%liq %A

%AB %A







TA


A + liq TB

Tg1 g1 lM TM

B+liq

AB1+liq g2 Tg2

A+AB1 AB2+liq

B+AB2

AB1+AB2

A AB1 M AB2 B

%B %liq

%B %AB %A

%AB2 %AB1



TA

TM1

A + liq TB

Tg1 g1 TM

B+liq

AB1+liq g2 Tg2

A+AB1 AB2+liq

B+AB2

AB1+AB2

A M1 AB1 AB2 B

%liq %A

%AB2 %AB1 %A

Se da sistemul binar AB in care temperatura de topire a compusului B este dublu temperaturii de topire a lui A (A si B formeaza solutii solide continue). Determinati:

a) Diagrama sistemului.

b) Pentru doua amestecuri ce contin AB in solutie in raport de 1:3 si 3:1 sa se scrie etapele proceselor de topire si cristalizare.

c) Pentru amestecurile de la punctul b), sa se determine proportia fazelor aflate in echilibru si compozita in A si B la o temperatura aflata la jumatatea intervalului de topire.

d) Pentru amestecurile de la punctul b), sa se defineasca compozitia primei picaturi de topitura ce se formeaza si compozitia primului cristal mixt.


lM2 TB

lP sx2 TM2

lM1 P sP

TM1 lz2 sx1 Tz2

TN lN sM2

TZ1
N SN

sM1

TA



A M1 M2 B


M1 - topire

T<Tz1: ssAB(M1)

Tz1-TM1: ssAB(sM1->sx1)+liq(lz1->lM1)

T>TM1: liq(M1)

M1 - cristalizare

T>TM1: liq(M1)

TM1-Tz1: ssAB(sx1->sM1)+liq(lM1->lz1)

T<Tz1: ssAB(M1)


M2 - topire

T<Tz2: ssAB(M2)

Tz2-TM2: ssAB(sM2->sx2)+liq(lz2->lM2)

T>TM2: liq(M2)

M2 - cristalizare

T>TM2: liq(M2)

TM2-Tz2: ssAB(sx2->sM2)+liq(lM2->lz2)

T<Tz2: ssAB(M2)






lM2 TB

lP sx2 TM2

lM1 P sP

TM1 lz2 sx1 Tz2

lN sM2

TZ1
TN N SN

sM1

TA




A M1 M2 B

%ss1 %liq



lM2 TB

lP sx2 TM2

lM1 P sP

TM1 lz2 sx1 Tz2

TN lN sM2

TZ1
N SN

sM1

TA




A M1 M2 B

%SSAB %liq


lM2 TB

lP sx2 TM2

lM1 P sP

TM1 lz2 sx1 Tz2

TN lN sM2

TZ1
N SN

sM1

TA


S1 S2 l1 l2

A M1 M2 B

M1: S1 - compozitia primului cristal; l1- compozitia primei picaturi de topitura

M2: S2 - compozitia primului cristal; l2- compozitia primei picaturi de topitura

Sa se scrie etapele proceselor de topire-cristalizare pentru amestecurile date.

C


e4 M4 e3

r6 e5 r3

r4 E1 M3 E2

M6 r1 r2

M5 r5 M1 M2 r7 M7


A e1 AmBn e2 B


M1 - topire

T<TE1: A+ AB + C

TE1: A + AB + C + liq(E1)

TE1-Tr1: AB + A + liq(E1->r1)

Tr1-TM1:AB+liq(r1->M1)

T>TM1: liq(M1)

M1 - cristalizare

T>TM1: liq(M1)

TM1-Tr1:AB+liq(M1->r1)

Tr1-TE1: AB + A + liq(r1->E1)

TE1: A + AB + C + liq(E1)

T<TE1: A+ AB + C

M2 - topire

T<TE2: A+ AB + C

TE2: A + AB + C + liq(E2)

TE2-Tr2: AB + B + liq(E2->r2)

Tr2-TM2:AB+liq(r2->M2)

T>TM2: liq(M2)

M2 - cristalizare

T>TM2: liq(M2)

TM2-Tr2:AB+liq(M2->r2)

Tr2-TE2: AB + B + liq(r2->E2)

TE2: A + AB + C + liq(E2)

T<TE2: A+ AB + C



M3 - topire

T<TE2: A+ AB + C

TE2: A + AB + C + liq(E2)

TE2-Tr3: AB + C + liq(E2->r3)

Tr3-TM3:AB+liq(r3->M3)

T>TM2: liq(M3)

M3 - cristalizare

T>TM3: liq(M3)

TM3-Tr3:AB+liq(M3->r3)

Tr3-TE2: AB + C + liq(r3->E2)

TE2: A + AB + C + liq(E2)

T<TE2: A+ AB + C


M4 - topire

T<TE1: A+ AB + C

TE1: A + AB + C + liq(E1)

TE1-Tr4: AB + C + liq(E1->r4)

Tr4-TM4:C+liq(r4->M4)

T>TM4: liq(M4)

M4 - cristalizare

T>TM4: liq(M4)

TM4-Tr4:C+liq(M4->r4)

Tr4-TE1: AB + C + liq(r4->E1)

TE1: A + AB + C + liq(E1)

T<TE1: A+ AB + C


M5- topire

T<TE1: A+ AB + C

TE1: A + AB + C + liq(E1)

TE1-Tr5: AB + A + liq(E1->r5)

Tr5-TM5:A+liq(r5->M5)

T>TM5: liq(M5)

M5 - cristalizare

T>TM5: liq(M5)

TM5-Tr5:A+liq(M5->r5)

Tr5-TE1: AB + C + liq(r5->E1)

TE1: A + AB + C + liq(E1)

T<TE1: A+ AB + C


M6- topire

T<TE1: A+ AB + C

TE1: A + AB + C + liq(E1)

TE1-Tr6: AB + A + liq(E1->r6)

Tr6-TM6:A+liq(r6->M6)

T>TM6: liq(M6)

M6 - cristalizare

T>TM6: liq(M6)

TM6-Tr6:A+liq(M6->r6)

Tr6-TE1: AB + C + liq(r6->E1)

TE1: A + AB + C + liq(E1)

T<TE1: A+ AB + C


M7- topire

T<TE2: A+ AB + C

TE2: A + AB + C + liq(E2)

TE2-Tr7: AB + B + liq(E2->r7)

Tr7-TM7:B+liq(r7->M7)

T>TM7: liq(M7)

M7 - cristalizare

T>TM7: liq(M7)

TM7-Tr7:B+liq(M7->r7)

Tr7-TE2: AB + C + liq(r7->E2)

TE2: A + AB + C + liq(E2)

T<TE2: A+ AB + C


Se da sistemul binar AB in care A se substituie in reteaua lui B si invers pana la 25%. Solutiile solide limita contin 1/3 B din constituentii substituiti, iar punctul eutectic contine in parti egale solutiile solide limita. Pentru amestecurile M1 (care contine A:B=1:4), M2( 33% si 50% A, sa se scrie etapele processelor de topire - cristalizare si sa se defineasca categoriile de materiale ce se pot obtine aplicand rute de procesare diferite.

Pentru aceste amestecuri, sa se determine proportia fazelor aflate in echilibru la sfarsitul procesului de topire si la jumatatea intervalului de topire.




lM1 TB TM1

Sx1

TA lM2 Sx2 TM2

SSA+liq SSB+liq SM1

SA sB TE

ssA SSB

ssA+ssB



A M3 M2 M1 B


M1 - topire

T<TM1:  SSB+SSA

Te: SSA+SSB + liq(e)

Te-Tz1: SSB(SB->SM1)

Tz1-TM1: SSB(SM1->Sx1) +liq(lz1->lM1)

T>TM1: liq(M1)

M1 - cristalizare

T>TM1: liq(M1)

TM1-TZ1: SSB(Sx1->SM1) +liq(lM1->lZ1)

TZ1-Te: SSB(SM1->SB)

Te: SSA+SSB + liq(e)

T<TM2: SSB+SSA


M2 - topire

T<Te: SSB+SSA

Te: SSA+SSB + liq(e)

Te-TM2: SSB(SB->Sx2) + liq(e->lM2)

T M2: SSB(Sx2)+liq(lM2)

T>TM2: liq(M2)

M2 - cristalizare

T>TM2: liq(M2)

TM2: SSB(Sx2)+liq(lM2)

TM2-Te: SSB(Sx2->SB) + liq(lM2->e)

Te: SSA+SSB + liq(e)

T<Te: SSB+SSA


M3 - topire

T<Te: SSB+SSA

Te: SSA+SSB + liq(e)

T>Te: liq(M3)

M3 - cristalizare

T>Te: liq(M3)

Te: SSA+SSB + liq(e)

T<Te: SSB+SSA


9.2. Se da sistemul binar AB, intre cei doi componenti se stabileste o relatie de izomorfie partiala astfel incat TA<TB. A se integreaza izomorf in reteaua cristalina a componentului B pana la 15% iar B in reteaua lui A pana la 25%. Relatiile de echilibru stabilite in cadrul sistemului determina aparitia punctului invariant caracterizat prin raportul A:B=2:3. Se cere:

a. Trasarea diagramei de echilibru

b. Scrierea traseelor de topire-cristalizare pentru un amestec care la sfarsitul perioadei de topire eutectica, contine fazele aflate in echilibru in raport 1:1.




TB



TA lM2 lM1 Sx1 TM1

TM2


SA e SB





A a M2 M1 b B



M1 - topire

T<Te: SSA+SSB

Te: SSA+SSB+liq(e)

Te-TM1: SSB(SB->Sx1) + liq (e->lM1)

T>TM1:liq(M1)

M1 - cristalizare

T>TM1:liq(M1)

TM1-Te: SSB(Sx1->SB) + liq (lM1->e)

Te: SSA+SSB+liq(e)

T<Te: SSA+SSB


Nu se poate descarca referatul
Acest document nu se poate descarca

E posibil sa te intereseze alte documente despre:

Copyright © 2024 - Toate drepturile rezervate QReferat.com Folositi documentele afisate ca sursa de inspiratie. Va recomandam sa nu copiati textul, ci sa compuneti propriul document pe baza informatiilor de pe site.
{ Home } { Contact } { Termeni si conditii }