 |  |
|
Metoda MOVPE pentru InGaAsP
Aceasta metoda foloseste compusi metal organici pentru epitaxie din faza de vapori. Acesti compusi, fierb la temperaturi joase si au presiuni de vapori extrem de scazute. Schita instalatiei este prezentata in fig.7. Pe un suport de grafit la o temperatura in domeniul 550-7000oC sunt dispuse plachetele din InP in reactorul de epitaxie. Pentru Ga si In sunt folositi doi compusi metalorganici (MO) prin care trece gazul purtator (H2 sau He). Compusii MO utilizati sunt TMIn si TMGa.
Viteza de crestere poate fi cuprinsa intre 1 si 10 micrometru/ora, mult mai mica decat vitezele obisnuite, depinzand de viteza gazului, presiunea din reactor si presiunea de vapori a compusului MO. Aceasta valoare redusa permite controlul riguros al grosimii straturilor.
Metoda MOCVD a fost folosita cu succes pentru realizarea structurii cristaline a LED-urilor cu emisie in albastru.
Fig.7. MOVPE pentru realizarea uniu compus semiconductor ternar InGaAsP
Acest document nu se poate descarca
| E posibil sa te intereseze alte documente despre:
|
| Copyright © 2024 - Toate drepturile rezervate QReferat.com | Folositi documentele afisate ca sursa de inspiratie. Va recomandam sa nu copiati textul, ci sa compuneti propriul document pe baza informatiilor de pe site. { Home } { Contact } { Termeni si conditii } |
Documente similare:
|
Cauta document |